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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

总分
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

总分
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    31 left arrow 49
    左右 -58% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.9 left arrow 10
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.4 left arrow 8.2
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    10.0 left arrow 16.9
  • 写入速度，GB/s
    8.2 left arrow 12.4
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow no data
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • 排名PassMark (越多越好)
    2116 left arrow 3043

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM的比较

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