RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
バグを報告する
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 49
    周辺 -58% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.9 left arrow 10
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 8.2
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    10.0 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow no data
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2116 left arrow 3043

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAMの比較

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB RAMの比較

V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
メモリRAM
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
メモリRAM