RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
41
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2686
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link