RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
41
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2686
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link