RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2290
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link