RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2290
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link