RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3237
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link