RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
40
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2813
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link