RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
36
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
36
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2550
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link