RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
38
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
20
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3120
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link