RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3458
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link