RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2659
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link