RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
34
Por volta de 29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
34
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2659
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link