RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3996
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link