RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3996
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB Сравнения RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link