RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
53
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
53
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3020
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link