RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
53
Около 55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
53
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3020
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link