RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3188
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link