RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3188
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link