RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3188
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link