RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3346
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link