RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
8.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
8.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1999
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link