RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
38
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
8.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
8.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1999
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link