RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
24
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
19
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2994
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link