RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
24
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
19
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2994
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link