RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3496
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link