RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3496
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link