RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
24
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
20
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3632
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link