RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
24
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
18
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3668
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905417-075.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link