RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3631
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link