RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3631
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link