RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3017
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Lifetime Memory Products LIFETIMEMEMORY.COM 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link