RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
41
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2044
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link