RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3711
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link