RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3711
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link