RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
66
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
66
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1820
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link