RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
66
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
66
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1820
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link