RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
41
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.1
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1348
2776
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link