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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
41
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
34
读取速度,GB/s
11.1
15.7
写入速度,GB/s
8.2
11.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1348
2776
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
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Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
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