RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2663
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link