RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2732
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link