RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2320
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 99P5471-049.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-D8KQB 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link