RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
24
Por volta de -4% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
23
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
7.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2320
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link