RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2462
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link