RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2462
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Mushkin 991586 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link