RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
44
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
44
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2425
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link