RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2727
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation M424016 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link