RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2727
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
OCZ OCZ2RPX8002G 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link