RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2419
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link