RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3050
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link