RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
46
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2961
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link