RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около 48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
46
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2961
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link